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單晶爐單晶等徑生長的控制策略[2014/7/30]單晶棒等徑控制是單晶爐控制的重點。單晶直徑在生長過程中課受到溫度、提拉速度與轉速、坩堝跟蹤速度與轉速、生長物理環境、保護氣體的流速與溫度、冷卻水流的流速與溫度等因素的影響。歸納起來,無外乎是熱場波動和生長速度變化兩大類。因此,爐內熱場設置,生長溫度補償、速度等參數選配是控制單晶外形的基本條件,爐內熱場和生長速度的精確控制是單晶等徑控制的重點。由于影響單晶等徑生長的因素較多,控制對象數學模型難以建立,且這些因素本身以及它們之間的關系是模糊的、不確定的。系統具有非線性、時變性和大慣性的特征。因而,單晶爐單晶等徑生長控制采用模糊控制策略是比較合適的。 單晶等徑生長在忽略一些干擾因素影響情況下,主要受溫度和拉速影響。如果恒定溫度而僅從生長速度控制直徑,外形固然可以得到快速保證,但生長速度的大幅度調節會造成單晶微觀質量缺陷。反之,如果恒定速度而僅從溫度調節來控制直徑,由于這種控制系統是一個緩慢時變,并且具有確定性擾動和隨機干擾的非最小相位系統,用一般常規儀表控制手段來實現自動控徑極為困難。只有對溫度和生長速度進行綜合控制,才能完成等徑自動控制。 上一篇:高溫真空爐運用在藍寶石結晶
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