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單晶爐的兩種拉制方法

[2014/6/16]

你了解單晶爐嗎?單晶爐在制作工藝上的拉制方法具體該怎么做呢?

第一種:區(qū)熔法

區(qū)熔法的操作工藝就是為了避免熔體與坩堝間的化學(xué)反應(yīng)造成的污染,而發(fā)展起來的無增堝晶體生長工藝。

這種方法只適用于熔體表面張力系數(shù)大的晶體生長。垂直安裝一根多晶體棒,用水冷射頻感,使應(yīng)加熱使棒的一端熔化。依靠熔體的表面張力和電場產(chǎn)生的懸浮力,使熔體與晶棒粘附在一起。把一根經(jīng)過定向處理的籽晶端部侵入熔體,利用加熱器與晶體熔體的相對運動使多晶棒不斷地熔化,而另一側(cè)逐漸生成晶體。這種方法會讓生長的晶體不會受坩堝的污染。

第二種:直拉法

直拉法又稱“恰克拉斯基法”(Czochralski)法,簡稱CZ法。是生長單晶硅的主要方法。該法是在直拉法(CZ)單晶爐內(nèi),將原料(多晶硅)裝在一個坩堝中使其加熱至熔融狀,向熔硅中引入籽晶,籽晶夾在提拉桿的下端,控制溫度合適。當籽晶和熔硅達到平衡時,熔液會靠著表面張力的支撐吸附在籽晶的下方。此時邊旋轉(zhuǎn)邊提拉籽晶,這些被吸附的熔體也會隨著籽晶往上運動。向上運動的過程中熔體溫度下降,將使得熔體凝結(jié)成晶且隨著籽晶方向生長成單晶棒。

編輯Gyn

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